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タイプ: | 高い発電のショットキー ダイオード | パッケージ: | TO-220AB |
---|---|---|---|
パッケージのタイプ: | 3ピン ダイオード | サンプル時間: | 5-7日 |
最高。前方流れ: | 20A | 最高。逆電圧: | 200V |
材料: | ケイ素 | 土台位置: | どれか |
ハイライト: | 障壁のショットキー低いダイオード,電子部品のダイオード |
25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減します。
変数
|
記号 | MBR2040CT | MBR2045CT | MBR2060CT | MBR20100CT | MBR20150CT | MBR20200CT | 単位 | |
最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 40 | 45 | 60 | 100 | 150 | 200 | ボルト | |
最高RMSの電圧 | VRMS |
28
|
31.5 | 42 | 70 | 105 | 140 | ボルト | |
最高DCの妨害電圧 | VDC |
40
|
45 | 60 | 100 | 150 | 200 | ボルト | |
TL=110°Cの最高平均前方整流器の流れ | (AV) |
20
|
Amps | ||||||
ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波 | IFSM | 150 | Amps | ||||||
20Aの最高の即時前方電圧 | VF |
0.55
|
0.7 | 0.85 | 0.95 | ボルト | |||
評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れ | TA=25°C | IR |
0.5
|
0.05 | mA | ||||
TA=125°C |
50
|
10 |
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