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タイプ: | N-Channel 50-V (D-S) MOSFET | 素材: | ケイ素 |
---|---|---|---|
パッケージ: | SOT-23 | 下水管源の電圧: | 50V |
連続的な下水管の流れ: | 0.22A | 電力損失: | 0.35W |
適用: | ドライバー:リレー、ソレノイド、ランプ、ハンマー、ディスプレイ、メモリー、トランジスターなど | 特徴: | 険しく、信頼できる |
ハイライト: | BSS138分野のトランジスターMosfets,0.22A分野のトランジスターMosfets,0.35W NチャネルMosfet |
変数 | 記号 | 価値 | 単位 | ||||||||||||||||||||||||||||||
下水管源の電圧 | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
連続的なゲート源の電圧 | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
連続的な下水管の流れ | ID | 0.22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
電力損失 | PD | 0.35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
実用温度 | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
保管温度 | Tstg | -55 ~+150 |
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | ||||||||||||||||||||||||||||
特徴を離れて | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
下水管源の絶縁破壊電圧 | V (BR) DSS | VGS = 0V、ID =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
ゲート ボディ漏出 | IGSS | VDS =0V、VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS =50V、VGS =0V | 0.5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
VDS =30V、VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
特徴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
ゲート境界の電圧(ノート1) | VGS (Th) | VDS =VGS、ID =1MA | 0.80 | 1.50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
静的な下水管源のオン抵抗(ノート1) | RDS () | VGS =10V、ID =0.22A | 3.50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V、ID =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
前方相互コンダクタンス(ノート1) | gFS | VDS =10V、ID =0.22A | 0.12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
動特性(ノート2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
入れられたキャパシタンス | Ciss | VDS =25V、VGS =0V、f=1MHz | 27 | pF | ||||||||||||||||||||||||||||||
出力キャパシタンス | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
逆の移動キャパシタンス | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
転換の特徴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Turn-on遅れ時間(ノート1,2) | td () | VDD =30V、VDS =10V、ID =0.29A、RGEN =6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
上昇時間(ノート1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Turn-off遅れ時間(ノート1,2) | td () | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
落下時間(ノート1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
下水管源ボディ ダイオード特徴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
ボディ ダイオード前方電圧(ノート1) | VSD | =0.44A、VGS = 0Vはある | 1.4 | V |