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タイプ: | 障壁のショットキー低いダイオード | パッケージ: | SMAF |
---|---|---|---|
パッケージのタイプ: | 表面の台紙のダイオード | サンプル時間: | 5-7日 |
最高。前方流れ: | 1A | 最高。逆電圧: | 100V |
材料: | ケイ素 | 土台位置: | どれか |
IFSM: | 30A | VF: | 0.85V |
ハイライト: | 障壁のショットキー低いダイオード,電子部品のダイオード |
ケイ素の低い障壁のショットキー ダイオードの電源SS110 SMAFのパッケージ
SS12F~SS120F SMAF Datasheet.pdf
25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。
変数
|
記号 | SS12 | SS14 | SS16 | SS18 | SS110 | SS115 | SS120 | 単位 | |
最高の反復的なピークの逆電圧
|
VRRM | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | ボルト | |
最高RMSの電圧
|
VRMS | 14 | 28 | 42 | 56 | 70 | 105 | 140 | ボルト | |
最高DCの妨害電圧
|
VDC | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | ボルト | |
TL=100°Cの最高平均前方整流器の流れ
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(AV) | 1 | Amps | |||||||
ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波
|
IFSM | 30 | Amps | |||||||
1.0Aの最高の即時前方電圧
|
VF | 0.55 | 0.7 | 0.85 | 0.95 | ボルト | ||||
評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れ
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TA=25°C | IR | 0.5 | 0.05 | mA | |||||
TA=125°C | 50 | 10 |