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タイプ: | 標準的な整流器ダイオード | パッケージ: | SMAF |
---|---|---|---|
パッケージのタイプ: | 表面の台紙のダイオード | サンプル時間: | 5-7日 |
最高。前方流れ: | 1A | 最高。逆電圧: | 1000V |
IFSM: | 30A | VF: | 1.1V |
ハイライト: | 高い発電の整流器ダイオード,国際的な整流器ダイオード |
SMAFの平面標準的な整流器ダイオードSMDのダイオード
SMAF平面にSMDの一般目的に整流器ダイオードの高温はんだ付けすること
25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。
変数 | 記号 | S1A |
S1B
|
S1D | S1G | S1J | S1K | S1M | 単位 | |
最高の反復的なピークの逆電圧 | VRRM | 50 |
100
|
200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ボルト | |
最高RMSの電圧 | VRMS | 35 |
70
|
140 | 280 | 420 | 560 | 700 | ボルト | |
最高DCの妨害電圧 | VDC | 50 |
100
|
200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | ボルト | |
TL=100°Cの最高平均前方整流器の流れ | (AV) |
1
|
Amps | |||||||
ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波 | IFSM | 30 | Amps | |||||||
1Aの最高の即時前方電圧 | VF |
1.1
|
ボルト | |||||||
評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れ | TA=25°C | IR | 5 | μA | ||||||
TA=125°C | 500 |
注: 1. 4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧で測定されて