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タイプ: | BSS138KのN-Channel | 素材: | ケイ素 |
---|---|---|---|
パッケージ: | SOT-23 | 下水管源の電圧: | 50V |
連続的な下水管の流れ: | 0.22A | 電力損失: | 0.35W |
MPQ: | 3000pcs | 特徴: | 険しく、信頼できる |
ハイライト: | 0.22Aケイ素力MOSFET,0.35Wケイ素力MOSFET,BSS138K NチャネルMOSFET |
変数 | 記号 | 限界 | 単位 | ||||||||||
下水管源の電圧 | VDS | 50 | V | ||||||||||
ゲート源の電圧 | VGS | ±20 | V | ||||||||||
現在連続的流出させなさい | ID | 0.22 | |||||||||||
現在脈打つ下水管(ノート1) | IDM | 0.88 | |||||||||||
最高の電力損失 | PD | 0.35 | W | ||||||||||
作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から150 | ℃ |
変数 | 記号 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |||||||
特徴を離れて | |||||||||||||
下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS =0V ID =250ΜA | 50 | 65 | - | V | |||||||
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS =50V、VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
ゲート ボディ漏出流れ | IGSS | VGS =±10V、VDS =0V | - | ±110 | ±500 | nA | |||||||
VGS =±12V、VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | uA | |||||||||
特徴(ノート3) | |||||||||||||
ゲートの境界の電圧 | VGS (Th) | VDS =VGS、ID =250ΜA | 0.6 | 1.1 | 1.6 | V | |||||||
下水管源のオン州の抵抗 | RDS () | VGS =5V、ID =0.2A | - | 1.3 | 3 | Ω | |||||||
VGS =10V、ID =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
前方相互コンダクタンス | gFS | VDS =10V、ID =0.2A | 0.2 | - | - | S | |||||||
動特性(Note4) | |||||||||||||
入れられたキャパシタンス | Clss | VDS =25V、VGS =0V、F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
出力キャパシタンス | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
逆の移動キャパシタンス | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
転換の特徴(ノート4) | |||||||||||||
Turn-on遅れ時間 | td () | VDD =30V、ID =0.22A VGS =10V、RGEN =6Ω | - | - | 5 | nS | |||||||
Turn-on上昇時間 | tr | - | - | 5 | nS | ||||||||
Turn-Off遅れ時間 | td () | - | - | 60 | nS | ||||||||
Turn-Off落下時間 | tf | - | - | 35 | nS | ||||||||
総ゲート充満 | Qg | VDS =25V、ID =0.2A、 VGS =10V |
- | - | 2.4 | NC | |||||||
下水管源のダイオード特徴 | |||||||||||||
ダイオード前方電圧(ノート3) | VSD | VGS =0Vは、=0.22Aである | - | - | 1.3 | V | |||||||
ダイオードの前方現在(ノート2) | ある | - | - | 0.22 |